Evolution of implantation induced damage under further ion irradiation: Influence of damage type

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Atomistic investigation of FIB-induced damage in diamond cutting tools under various ion irradiation conditions

Focused Ion Beam (FIB) has been demonstrated as a promising tool to the fabrication of microand nanoscale diamond cutting tools. In-depth understanding of the ion-solid interaction in diamond leading to residual damage under different processing parameters are in high demand for the fabrication of nanoscale diamond tools. Molecular dynamics (MD) simulation method has long been regarded as a pow...

متن کامل

degradation of oil impregnated paper insulation under influence of repetitive fast high voltage impulses

در طی سالهای اخیراستفاده ازمنابع انرژی تجدید پذیر در شبکه های مدرن بنا به دلایل زیست محیطی و اقتصادی به طور گسترده استفاده شده است همچون نیروگاههای بادی و خورشیدی .ولتاژتولیدی این نیروگاهها اغلب به فرم dc می باشد وادوات الکترونیک قدرت به عنوان مبدل و پل بین شکل موج dc وac استفاده می شوند.این پروسه باعث ایجاد پالسهایی برروی شکل موج خروجی می شود که می تواند وارد تجهیزات قدرت همچون ترانسفورماتور ی...

15 صفحه اول

assessment of the park- ang damage index for performance levels of rc moment resisting frames

چکیده هدف اصلی از طراحی لرزه ای تامین ایمنی جانی در هنگام وقوع زلزله و تعمیر پذیر بودن سازه خسارت دیده، پس از وقوع زلزله است. تجربه زلزله های اخیر نشان داده است که ساختمان های طراحی شده با آیین نامه های مبتنی بر نیرو از نظر محدود نمودن خسارت وارده بر سازه دقت لازم را ندارند. این امر سبب پیدایش نسل جدید آیین نامه های مبتنی بر عملکرد شده است. در این آیین نامه ها بر اساس تغییرشکل های غیرارتجاعی ...

15 صفحه اول

Accurate Three-Dimensional Simulation of Damage Caused by Ion Implantation

We present a Monte-Carlo ion implantation simulation method that allows a very accurate prediction of implantation induced point defects, generation of amorphous areas, and impurity distributions. The implanted impurity pro les can be calculated as well as the distributions of impurities that are moved from one material to another during the implantation process. The simulation method can be ap...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Journal of Applied Physics

سال: 2009

ISSN: 0021-8979,1089-7550

DOI: 10.1063/1.3086313